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La memoria flash Samsung 3D V-NAND è realizzata utilizzando un'architettura a 32 strati di celle impilati verticalmente; invece di cercare di ridurre la lunghezza e la larghezza delle celle per rientrare nei moderni fattori di forma compatti. Il risultato è una densità maggiore e una resa ottimizzata in termini di prestazioni, oltre a un'impronta ridotta.
SSD da 2,5″ SATA da 6Gb/s
Capacità: 1TB
Lettura sequenziale max. 550 MB/s, scrittura sequenziale max. 520 MB/s
Lettura random max. 100.000 IOPS, scrittura random max.90.000 IOPS
Software Samsung Magician e Data Migration

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